Instrutor do ITA Recebe o Prêmio de Melhor Tese de Doutorado em Microeletrônica
Olá leitor!
Segue abaixo uma nota postada ontem (02/09) no site do Instituto
Tecnológico da Aeronáutica (ITA), destacando que Instrutor do instituto recebeu
o prêmio de melhor tese de doutorado em Microeletrônica.
Duda Falcão
Notícias
Instrutor do ITA Recebe o Prêmio de
Melhor Tese de Doutorado
em Microeletrônica
02/09/2015
No dia 1º de
setembro, o Tenente-coronel Lester de Abreu Faria, instrutor da Divisão de
Engenharia Eletrônica, recebe o prêmio de melhor tese de doutorado, oferecido
pela CEITEC S.A. e a Sociedade Brasileira de Microeletrônica (SBMicro). Eles
premiam as melhores teses e dissertações na área de microeletrônica desenvolvidas
no Brasil. O prêmio abrange duas categorias nas áreas Doutorado e Mestrado.
A sua tese de
Doutorado intitulada "Desenvolvimento de Modelos de Simulação para
Transistores MOS a Temperaturas Criogênicas" foi selecionada como
vencedora do Terceiro na categoria Tecnologia e Processo de Fabricação de
Semicondutores. O estudo teve a colaboração do Instituto de Estudos Avançados
(IEAv) e do Programa de Pós-Graduação em Aplicações Operacionais (PPGAO) para
seu aprimoramento.
Resumo da tese (
www.bdita.bibl.ita.br/tesesdigitais/lista_resumo.php?num_tese=67595 (link is external) ):
Esta tese
apresenta a modelagem de transistores MOS a temperaturas criogênicas (77K).
Considerando-se que os transistores MOS são os blocos básicos para a construção
de circuitos integrados e que o projeto de circuitos mistos a temperaturas
criogênicas ainda hoje se mostra como um grande desafio para a comunidade
científica e industrial devido à falta de modelos de simulação confiáveis e
precisos, o presente tema reveste-se da mais alta relevância acadêmica e
estratégica para o país. Duas ferramentas computacionais open-source (PExPY e
SimulPY) baseadas no modelo EKV2.6 foram desenvolvidas para a implementação de
um método físico inovador de criação de bibliotecas de simulação, apresentando
erros relativos menores que 1,1 e 7% respectivamente. Dois novos modelos e uma
macro-célula SPICE foram propostos. O primeiro modifica as equações que regem o
comportamento dos parâmetros semicondutores, adaptando-os à física de
temperaturas criogênicas. O segundo propõe funções de ajuste para o
comportamento MOS, e facilita a construção de uma macro-célula SPICE, que torna
todas as alterações transparentes ao usuário. A modelagem de três diferentes
tecnologias (MOSIS 0,35 µm, XFAB 0,18 µm e CI ALD 1105) com transistores NMOS e
PMOS demonstra a correção, acurácia e viabilidade do método e dos modelos
propostos. Resultados de simulações realizadas a partir dos três modelos
apresentam erros relativos médios menores que 10% em todas as regiões de
operação, quando comparados com resultados experimentais.
Fonte: Site do Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA)
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